Транзистор 650v 40a YGW40N065F1

YGW40N065F1 - это мощный транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с технологией Trench Field Stop, разработанный для высокоэффективных силовых электронных приложений. Он сочетает в себе преимущества полевых и биполярных транзисторов, обеспечивая высокое входное сопротивление, низкие потери проводимости и быстрое переключение.

YGW40N065F1 идеально подходит для использования в:

- Инверторах для солнечных батарей
- Сварочных аппаратах
- Индукционных нагревателях
- Бесперебойных источниках питания (UPS)
- Электроприводах переменного тока
- Других приложениях, требующих высокой мощности и эффективности

Характеристики:

- Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
- Технология: Trench Field Stop
- Номинальный ток коллектора (Ic): 40A
- Номинальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 650V
- Сопротивление открытого канала (Typ.): 18.5 миллиом
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер (Vges): ±20V
- Ток затвора (Qg): 63nC (Typ.)
- Время включения (td(on)): 31nS (Typ.)
- Время выключения (td(off)): 45nS (Typ.)
- Потери проводимости (Eon): 1.8mJ (Typ.)
- Потери выключения (Eoff): 2.2mJ (Typ.)
- Рабочая температура (Tj): -55°C до +150°C
- Корпус: TO-247


Преимущества:

- Высокая эффективность преобразования энергии
- Низкие потери проводимости
- Быстрое переключение
- Высокая надежность и долговечность
- Широкий диапазон рабочих температур
- Стандартный корпус TO-247, удобный для монтажа